电脑主板内存供电电路分析

　　SDRAM内存利用3.3V供电，DDR内存利用2.5V供电。利用SDRAM内存的主板，常见的都是直接由ATX电源供电，只有少数高级主板上才采用独立供电。如图5-1所示，用万用表测量电源插座的第1脚与SDRAM内存插槽3.3V电源输入脚，它们之间是直通的。

　　而利用DDR内存的主板，都设计有独立的内存供电电路。

　　内存供电电路工作原理
　　
　　内存供电电路人多采用集成运算放大器驱动场效应管的方法，其供电原理如图5-2所示，内存供电实际电路如图5-3所示。

　　图5-2内存供电电路的原理是这样的：从A点取得2.5V的基准电压进入到运算放大器的同相输入端IN+，运算放大器将IN+与IN-的电压相比较，如果IN+的电压大于IN-的电压，那么OUT的电压上升，OUT的电压上升使得Q1场效应管进一步导通，漏极（D）与源极（S）之间的管压降降落，使得B点的电压上升。通过反馈，IN-的电压也上升，直到IN+=IN-，也就是IN+=B 。这个过程可以简略地描写为：

　　（IN+>IN-）→（OUT ↑）→（DS ↓）→（B ↑）→（IN-↑），直到IN+=IN-。

　　同理，当IN+<IN-时，它的稳压过程是这样的：

　　（IN+<IN-）→（OUT↓）→（DS↑）→（B↓）→（IN-↓），直到IN+=IN-。

　　这个电路通过反馈比较，间接地把持B点的电压与基准电压相等，因此有时也称运算放大器为比较放大器。

      　要使B点的电压牢固，必须保证A点的电压牢固，也就是恳求基准电压要牢固。在图5-2的电路中，根据串联电路分压的原理，电阻两端的电压与其阻值的大小成正比，可以算出A点对地的电压为：

　　3.3V×（3.24K/（IK+3.24K》≈2.5V这是利用最简略的串联分压方法取得2.5V的基准电压。这种串联分压电路的弊病是当3.3V的电压波动时，基准电压也会跟着波动，所以有的内存供电电路利用TL431（三端可调分流式电压基准源）来供给基准电压，如图5-4所示。

　　那么TL431是如何供给2.5V牢固电压的？请看TL431的范例接法，如图5-5左边电路所示。

　　按照范例接法，根据TL431内部电路设计，输出电压与R2、R3有关，由下面的公式得出：

　　Vout=（R2+R3）×2.5V/R3当R2=0时，上面的公式则变成：

　  Vout = （O+R3） x 2.5V/R3=2.5V

　　也就是说当R2=0时，R3可以疏忽。

 

 

   

　　当R2=0（相当于将R2两端短接），且疏忽R3时，就可以由范例接法演变出直接输出2.5V的接法，如图5-5右边电路所示。

　　还有另一种内存供电电路，它是利用W83301DR或W83301R系列芯片驱动场效应管给内存供电，这种芯片同时还能组成内存总线终结电路。图5-6所示为由W83301DR-O组成的内存供电电路及内存总线终结上拉电路。图5-7为由W83301DR-O组成的内存供电实际电路。

　　Q1漏极的3.3V电压由芯片把持Q6、 Q7供给，Q2漏极的电压从Q1源极取得。内存供电Vstr1与内存总线终结把持Vstr2的电压由Vset2和Vset3设置，它们之间的关系如表5-1所示。

Vset2 Vset3 Vstr1 Vstr2 0V OV 2.5V 1.25V 5V OV 2.63V 1.325V Vset2 Vset3 Vstr1 Vstr2 OV 5V 2.77V 1.385V 5V 5V 2.9V 1.45V 　　由表5-1可以知道，Vstr2≈Vstr1/2。