分页烧写Flash多页程序并行自举方法

       TI公司的DSP芯片TMS320Vc5410(简称5410)是性能精彩的低功耗定点DSP，在 嵌入式系统 中有着广泛的利用。5410没有自带的片上非易失性存储器，因此需要外部的非易失性存储介质，如EPROM或 Flash ，来存储程序和数据。5410片内有64 K字RAM，由于在片内RAM运行程序比片外运行有高速度低功耗等明显优点，通常上电后都需要从片外EPROM或Flash上加载程序到片内RAM，但是芯片自带的自举程序(简称Bootloader)只支撑32 K字以内的外部程序加载，因此程序设计往往局限于32 K字空间内，限制了编程的机动性，不能充分施展5410的性能。当程序空问大于32 K字时，就需要自己编写程序来实现自举。下面首先介绍利用5410对Am29LV200BFlash存储器进行程序分页烧写的方法，然后重点介绍利用Bootloader来编程实现多页并行自举领导的方法。

       1 Am29LV200B Flash 存储器的分页烧写

        1.1 FIash 存储器简介   

       Am29LV200B(简称Flash)是AMD公司生产的Flash存储器，重要特点有：3 V单电源供电，可内部产生高电压进行编程和擦除操作；支撑JEDEC单电源Flash存储器标准；只需向其命令存放器写人标准的微处理器指令，具体编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现，并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成；可以对任一扇区进行读、写或擦除操作，而不影响其他部分的数据。文中128K×16位Am29LV200B Flash映射为5410的片外数据存储空间，地址为：0x8000～0xFFFF，数据总线16位，用于16位方法的并行领导装载。128K的Flash被分为7页进行访问。本文通过DSP的I／O端口向FPGA写把持字，由FPGA把持Flash的换页引脚对各个分页进行访问；以烧写2个页面为例，利用Flash的第1、2页，初始化时选中第l页。

       1.2 Flash 存储器的分页烧写   

       Flash的页面分配和相应的引脚把持如表1所列。关于Am29LV200B的擦除、写、校验等详细操作。从表1可以看到，通过对A16、A15等地址引脚的把持，可以实现Flash的页面切换。在烧写过程中，只要在指定页面烧写完预定空间后就对Flash进行换页，然后将烧写指针指向新的一页的首地址，就可以持续进行烧写，当程序烧写完成后需要将页面换回到第1页，在第1页的FFFFH地址写入8000H，这样Bootloader可以从这一页开始自举。全部烧写程序流程如图1所示。

       这里会涌现一个问题：程序烧写好后，虽然Bootloader可以主动加载程序，但是Bootloader怎样在加载过程中主动换页?下面详细介绍利用片上Bootloader编程实现多页程序并行加载的方法。

       2 多页并行加载的实现

       实现多页加载，要害问题是要让Bootloader知道什么时候可以换页；但是Bootloader是固化在5410片上ROM内的，无法对其进行编程。解决的方法是通过自己编写一段“前导”加载程序(简称Loader)来实现加载中的换页：首先将Loader和用户程序都烧写到Flash中，当系统上电后，Bootloader将Loader加载到片上并运行，然后Loader将Flash中的用户程序加载到目标RAM空间。这个加载过程是用户编程可控的，因此在需要换页时，可以把持Flash进行换页，加载完成后，Loader跳转到用户程序的人口地址处运行用户程序。