精英845PE主板中的内存供电电路分析
目前采用DDR内存的主板一般都采用这种电路为内存条供电，这种电路重要由基准电压源LM431、电压比较器LM324(或者是LM358、LM393)、大功率场效应管、滤波电解电容器、反馈电阻等元器件组成。精英845PE主板中的内存供电电路就是这种电路的范例电路，如下图所示。
在上图电路中，Q19为基准电压源APL431，用来产生2.5V的基准电压。
基准电压源产生的十2.5V基准电压经过R61、R50分压，在R50上的压降等于1.05V，因此电压比较器U2B的正相输入端5脚电压恒为1.05V。
基准电压源的外形像一个小功率三极管，在维修时要注意差别。不同厂家生产的基准电压源型号前缀字母不同，功效以及引脚完整一致。APL431损坏后，如无同型号的进行调换，可用LM431,KA431,μA431,TL431,YL431,S431,TA76431S,μPC10931J等直接代换(封装要雷同)。
在开机时，电压比较器U2B的反相输入端6脚由于R51的作用而处于低电平，此时，5脚电位高于反相输入端6脚的电位，此时电压比较器U2B的输出端7脚输出高电平，驱动场效应管Q34导通。Q34导通后，+3.3V电压通过Q34的D、S极、电阻R52、R51分压后加到电压比较器U2B的反相输入端6脚，由于电压比较器U2B的正相输入端5脚电压恒为1.O5V，所以，当电压比较器U2B的反相输入端6脚电压高于1.O5V时，输出端7脚就会输出低电平，使导通的Q34截止。
待Q34截止时，U2B的6脚电压就会降落到低于1.O5V，此时输出端就会再次输出高电平，Q34导通。如此重复，就可以使电压输出端Q34的S极电压牢固在设定值。输出电压VOUT=1.O5x(1+R52/R51)≈2.6V，为DDR内存供电。
由于上图所示电路中的供电电路输出电压直接由3.3V电压经过降压得到，若开关场效应管击穿短路，就会使内存条供电端的电压为3.3V，这样就容易烧毁内存条。因此很多新型主板的DDR内存供电电路采用了双场效应管的双路降压电路，电路如图3所示，以精英848P主板内存供电电路为例。
在上图电路中，D1O构成2.5V基准电压源，Ul2A、Q41构成一路降压稳压电路，这路稳压电源的供电电压由3.3V电压供给；Ul2B、Q42构成另外的一路降压稳压电路，这路稳压电路的供电电压由Q41的S极输出，Q42的D极输出电压为内存供电电压。D1O产生的2.5V基准电压经过ER93、ER95分压后，使电压比较器Ul2A的正相输入端3脚、Ul2B的正相输入端5脚电压为恒定的1.O5V。因此，Ul2A、Q41构成的降压稳压电路输出端Q41的S极电压Vout1=1.05x(1+ER115/ERI17)≈2.9V,Ul2B,Q42构成的降压稳压电路输出端电压Vout=1.05x(1+ER96/ER97)≈2.6V，即内存供电电压为2.6V。
在有些型号的主板电路中，为了便于超频时提升内存的供电电路，一般采用在输出电压对地相连的反馈电阻上并联电阻的方法来提升内存供电电压。这个并联的电阻由北桥芯片或者I/0芯片工具操作者设置输出相应的把持信号，把持与这个电阻串联的三极管导通或者截止，来达到将这个电阻接入电路或者断开电路的目标，进而使内存的供电电压可以在2.54V—2，7V之间可调，电路如下图所示，以精英Tl2VlOA主板内存供电电路为例，具体工作原理与前面介绍的雷同，读者可以自己分析。
