1、全桥的检测
大多数的整流全桥上，均标注有“+”、“-”、“~”符号（其中“+”为整流后输出电压的正极，“-”为输出电压的负极，“~”为交流电压输入端），很轻易确定出各电极。
检测时，可通过分别测试“+”极与两个“~”极、“-”极与两个“~”之间各整流二极管的正、反向电阻值（与一般二极管的测试方法相同）是否正常，即可推断该全桥是否已损坏。若测得全桥内鞭只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可推断该二极管已击穿或开路损坏。
2、半桥的检测
半桥是由两只整流二极管组成，通过用万用表分别测试半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常，即可推断出该半桥是否正常。
3、高压硅堆的检测
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测试其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。 | 
