双极型晶体管、场效应晶体管混合OCL功率放大电路图
双极型晶体管晶体管
晶体管是由三层杂质半导体构成的器件,有三个电极,所以又称为半导体三极管,晶体三极管等,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功效。 [全文]
、场效应晶体管
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管,也分为结型和绝缘栅型 , 但通常重要指绝缘栅型中的 MOS 型 , 简称功率 MOSFET。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管。其特点是用栅极电压来把持漏极电流,驱动电路简略,需要的 驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热牢固性优于 GTR ,但其电流容量小,耐压低,一般只实用于功 率不超过 10kW 的电力电子装置。 [全文]
混杂OCL功率放大电路 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管三极管
三极管是一种半导体电子器件,有3个引脚,晶体三极管分辨为集电极(c),基极(b),发射极(e),电子三极管分辨为屏极、栅极、阴极。能够把微弱信号放大成辐值较大的电信号,也称双极型晶体管,晶体三极管。 [全文]
。起源于1948年创造的点接触晶体三极管
晶体三极管具有电流放大作用,其本质是三极管能以基极电流渺小的变更量来把持集电极电流较大的变更量。这是三极管最基础的和最重要的特点。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号"β"表现。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变更也会有必定的转变。 [全文]
,50年代初发展成结型三极管
三极管是一种半导体电子器件,有3个引脚,晶体三极管分辨为集电极(c),基极(b),发射极(e),电子三极管分辨为屏极、栅极、阴极。能够把微弱信号放大成辐值较大的电信号,也称双极型晶体管,晶体三极管。
即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基础结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分辨称发射区和集电区。当基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间就会形成较大的电流,这就是晶体管的放大效应。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管

场效应管是一种电压把持器件(晶体管是电流把持器件),其特点更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压把持器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗,较好的热牢固性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在利用处效应管,特别是在音响领域更是如此,但场效应管与晶体管又是不同的。 [全文]
。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压把持型半导体器件。具有输入电阻
电阻,物质对电流的阻碍作用就叫该物质的电阻。电阻小的物质称为电导体,简称导体。电阻大的物质称为电绝缘体,简称绝缘体。 [全文]
高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态领域大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管
功率晶体管是随着近几年移动通信系统对基站功率放大器和手机功率放大器的性能恳求进步逐渐发展起来的新型射频功率器件。具有工作性能高、寄生电容小、易于集成等特点。特别合适在集成电路中作功率器件。 [全文]
的壮大竞争者。起源:江珧
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